ワイドバンドギャップ半導体界面の第一原理計算による研究

DOI Web Site 参考文献15件
  • 白石 賢二
    名古屋大学大学院工学研究科 筑波大学大学院数理物質科学研究科

書誌事項

タイトル別名
  • First Principles Studies on the Interfaces of Wide Gap Semiconductors
  • ワイドバンドギャップ ハンドウタイ カイメン ノ ダイイチ ゲンリ ケイサン ニ ヨル ケンキュウ

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抄録

We have investigated the interfaces of wide gap semiconductors by using first principles calculations. We show that oxidation of SiC induces the formation of C-C bond defects at SiC/SiO2 interfaces which corresponds to the oxidation front of SiC. We also find that this C-C bond formation leads to the formation of shallow interface states near the SiC conduction band bottoms. Moreover, we clarify the mechanism of hole generation on H-terminated diamond surfaces by the adsorption of molecules whose lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) levels or single occupied molecular orbitals (SOMO) levels are located lower than the valence band top of H-terminated diamonds.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 35 (2), 108-113, 2014

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (15)*注記

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