シリコン酸化膜フェンス効果を利用した原子ステップの形状・速度制御

DOI Web Site Web Site 被引用文献1件 参考文献31件 オープンアクセス
  • 鎌田 勝也
    筑波大学大学院数理物質科学研究科
  • 尾崎 亮太
    筑波大学大学院数理物質科学研究科
  • 矢田 隆伸
    筑波大学大学院数理物質科学研究科
  • 蓮沼 隆
    筑波大学大学院数理物質科学研究科 筑波大学学際物質科学研究センター
  • 山部 紀久夫
    筑波大学大学院数理物質科学研究科 筑波大学学際物質科学研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Control of Atomic Step Shape and Step Flow Speed using the Effect of Si Oxidized Films
  • シリコン サンカ マク フェンス コウカ オ リヨウ シタ ゲンシ ステップ ノ ケイジョウ ソクド セイギョ

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説明

Today, LSI process has been one of the most defined techniques to fabricate nanoscale structures. In this field, the top down method, such as lithography is a mainstream approach. However, it is reaching physical and technological limitations as for further size scaling. So the bottom up method has been attracting a lot of attention recently. In order to realize well defined bottom up process, it is quite important to establish a suitable self-assembly technique with a proper substrate as a template. In the present study, the SiO2 fences were fabricated on Si(111) surface by anodic oxidation using an atomic force microscope (AFM) probe. Then the Si surface was etched in ultra low dissolved oxygen water (LOW). We have investigated into the effect of the SiO2 fences on the atomic step shape and the step flow speed as one of way to control the step shape and its position.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 30 (8), 422-426, 2009

    公益社団法人 日本表面科学会

被引用文献 (1)*注記

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参考文献 (31)*注記

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