DCマグネトロンスパッタリング法によるFe‐Ga合金薄膜の作製

  • 竹内 光明
    東海大学大学院工学研究科応用理学専攻
  • 松村 義人
    東海大学工学部応用理学科エネルギー工学専攻
  • 内田 裕久
    東海大学工学部応用理学科エネルギー工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Preparation of Fe-Ga Thin Films by DC Magnetron Sputtering

抄録

The magnetostrictive properties of Fe-Ga (Ga: 8 at%-21 at%) alloy films prepared by DC magnetron sputtering system were investigated. Base pressure was less than 1.0×10-4 Pa and Fe-Ga films were deposited onto Single crystal Si(100) and polyimide substrate at room temperature with DC 200 W in an Ar atmosphere of 2.5×10-1 Pa. The lattice parameter of Fe-Ga films with a bcc structure increased with the increasing Ga concentration. The Fe-Ga films showed columnar grains with a crystalline orientation for ‹110› perpendicular to the film plane. The magnetostriction of Fe-Ga films increased with the increasing Ga concentration. Fe-21 at%Ga film showed a maximum magnetostriction of 180 ppm at an applied magnetic field of 1200 kA/m.

収録刊行物

  • 日本金属学会誌

    日本金属学会誌 68 (2), 142-144, 2004

    公益社団法人 日本金属学会

被引用文献 (3)*注記

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参考文献 (7)*注記

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