原子層堆積法を用いた酸化物薄膜スタックの電気特性制御と多値メモリ

DOI Web Site

書誌事項

タイトル別名
  • Electrical characteristics of multi-level switching memory with a metal-oxide stack structure by atomic layer deposition
  • ゲンシソウ タイセキホウ オ モチイタ サンカブツ ハクマク スタック ノ デンキ トクセイ セイギョ ト タチ メモリ

この論文をさがす

抄録

<p>原子層堆積（ALD）法は，室温成膜が可能で，オングストロームオーダでの膜厚の制御，粒子・ホールなどの3次元構造へ均質な酸化物および金属膜を形成できる利点を有しており，幅広い分野で興味がもたれている成膜手法である．本稿では，200°Cの低温度で，ALD法を用いて作製したアモルファスなAl2O3-TiO2バイレイヤをスイッチング層として用いたキャパシタが，Al2O3層とTiO2層の作製順序を変えるだけで，メモリスタのような多値の抵抗変化の特性が得られることを紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 87 (1), 25-28, 2018-01-10

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ