SiC単結晶エピタキシャルウェーハの高品質化

DOI Web Site 参考文献53件
  • 大谷 昇
    関西学院大学 理工学部物理学科 SiC材料・プロセス研究開発センター

書誌事項

タイトル別名
  • Toward the realization of high quality SiC epitaxial wafers
  • SiCタンケッショウ エピタキシャルウェーハ ノ コウヒンシツカ

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抄録

<p>電力機器の大幅な省エネ化をもたらす半導体材料として，シリコンカーバイド（SiC）に大きな期待が集まっている．ショットキー障壁ダイオードがすでに量産化されているSiC半導体ではあるが，そのさらなる実用化・普及には，いまだ多くの課題が残されている．本稿では，SiC半導体技術の礎となるSiC単結晶ウェーハの高品質化について述べる．バルク結晶成長，基板加工，エピタキシャル薄膜成長の各工程について高品質化の現状を紹介し，今後取り組むべき課題について議論する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 82 (10), 846-851, 2013-10-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (53)*注記

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