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- 松本 功
- 大陽日酸株式会社
書誌事項
- タイトル別名
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- The challenge to MOCVD for an InGaN LED
- InGaN LED用MOCVDの課題 : 基板材料とコストダウン戦略
- InGaN LEDヨウ MOCVD ノ カダイ : キバン ザイリョウ ト コストダウン センリャク
- A strategy for reducing the cost with substrate materials
- 基板材料とコストダウン戦略
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抄録
<p>LEDを用いた固体照明の普及のための継続的なコストダウンの可能性を検討する.サファイア,シリコン(Si),窒化物半導体(GaN)バルク基板上のエピタキシャルコスト構造を示し比較する.特に単位面積当たりのエピタキシャル成長コストだけでなく,1台のMOCVD装置で生産できるランプの数量が非常に重要であることを示す.併せて,MOCVD装置技術の目標も示す.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 82 (10), 858-861, 2013-10-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752332377472
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- NII論文ID
- 10031199919
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 024932417
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可