書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis and evaluation techniques of amorphous oxide semiconductor thin films
- アモルファス サンカブツ ハンドウタイ ハクマク ノ ブンセキ ・ ヒョウカ ギジュツ
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抄録
<p>アモルファス酸化物半導体は，TFT製造に関わるプロセス条件に非常に敏感である．このため，酸化物半導体TFTのプロセスを構築するためには，各TFT製造プロセスが酸化物半導体の電子状態に与える影響を明らかにすることが重要となる．本稿では，筆者らがTFT作製プロセス中の酸化物半導体の電子状態を詳細評価するために近年取り組んでいる，酸化物半導体TFTと同一構造，同一プロセスで作製したデバイスを用いた電子状態の評価状況を紹介する．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 82 (10), 871-875, 2013-10-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752334054400
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- NII論文ID
- 10031199922
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 024932516
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可