書誌事項
- タイトル別名
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- Basic properties and thin film preparation methods of layered chalcogenide materials for atomic-layer electronics
- ゲンシソウ エレクトロニクス ニ ムケタ カルコゲナイドケイ ソウジョウ ブッシツ ノ キソ ブッセイ ト ハクマク ケイセイ シュホウ
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説明
<p>グラファイトの単位層であるグラフェンが示す興味深い物性についての研究が活発に行われているが，その一方で，同様な積層構造をもつほかの多くの層状物質も注目されている．グラフェンと同様に，単層化された試料が示す新物性が探索されるとともに，グラフェンにはないバンドギャップをもつ層状物質半導体の単結晶薄膜を用いて，電界効果トランジスタを作製する研究も活発に行われている．本稿ではカルコゲナイド系層状物質について，種類，物性，単層膜／薄膜形成手法を解説するとともに，電界効果トランジスタの作製と評価に関する我々の研究成果を紹介する．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 83 (4), 274-278, 2014-04-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752334080000
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- NII論文ID
- 130007718503
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 025453628
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可