SiC基板上Yb蒸着グラフェンにおける強磁性の発現

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タイトル別名
  • Emergence of ferromagnetism in the Yb-deposited graphene on a SiC substrate

抄録

<p>グラファイト層間に金属原子を挿入したグラファイト層間化合物（GIC）は様々な物性を示すが、中でもランタノイド（Yb、Eu）を挿入した系では、超伝導や反強磁性秩序の発現が報告されている。本研究ではMBE法にてYbをGraphene/SiC(0001)上に蒸着した。結果、通常Yb単体は常磁性にもかかわらず異常ホール効果が観測され、キュリー温度59Kの強磁性転移が確認された。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282752353646848
  • NII論文ID
    130007737655
  • DOI
    10.14886/jvss.2019.0_2p24s
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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