書誌事項
- タイトル別名
-
- Fabrication of PbS QD/Silicon Hybrid Infrared Photodiode for LSI Platform
- LSI イッタイ シュウセキ ノ タメ ノ シリコン ジョウ PbS リョウシ ドット セキガイ フォトダイオード ノ シサク
この論文をさがす
抄録
<p>Near-infrared detectors by silicon based devices with large scale integration are very attractive for secure applications about image sensors. Beyond the silicon bandgap, we focus on PbS colloidal quantum dots (CQDs) and silicon integration. In this paper, we investigated fabrication processes of PbS CQDs and silicon hybrid IR detector. Temperature dependent photoluminescence of PbS CQDs thin films are measured and we found the bandgap of PbS CQDs do not change by various temperature. Optical response by a spectrometer were observed in 1550 nm range.</p>
収録刊行物
-
- 電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)
-
電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) 138 (7), 307-311, 2018-07-01
一般社団法人 電気学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390282763018054912
-
- NII論文ID
- 130007386998
-
- NII書誌ID
- AN1052634X
-
- ISSN
- 13475525
- 13418939
-
- NDL書誌ID
- 029123024
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可