Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation
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- Motokawa Yosuke
- Kyushu Institute of Technology
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- Yamasaki Takayuki
- Kyushu Institute of Technology
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- Imanami Satoshi
- Kyushu Institute of Technology
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- Yamada Yuya
- Kyushu Institute of Technology
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- Naitoh Masamichi
- Kyushu Institute of Technology
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- Ikari Tomonori
- National Institute of Technology, Ube College
Bibliographic Information
- Other Title
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- イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究
Abstract
我々はSiC表面分解法を用いたグラフェン形成に関する研究を行っている。<br><br>SiC表面分解法ではSiC基板を高温で加熱しなければならず、高品質のグラフェンを得るためにはプロセスの低温化が必要になってくると思われる。あらかじめSiC基板にイオンビームを照射しておくことで、グラフェンの低温形成が可能ではないかと考え、様々な条件で実験を行った。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 2018 (0), 170-, 2018
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details
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- CRID
- 1390282763069983360
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- NII Article ID
- 130007519064
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed