イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究
書誌事項
- タイトル別名
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- Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation
説明
我々はSiC表面分解法を用いたグラフェン形成に関する研究を行っている。<br><br>SiC表面分解法ではSiC基板を高温で加熱しなければならず、高品質のグラフェンを得るためにはプロセスの低温化が必要になってくると思われる。あらかじめSiC基板にイオンビームを照射しておくことで、グラフェンの低温形成が可能ではないかと考え、様々な条件で実験を行った。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 170-, 2018
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282763069983360
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- NII論文ID
- 130007519064
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
