大電力パルススパッタリング法におけるピーク電流密度が細孔内壁面のTi薄膜成長に及ぼす影響

DOI Web Site Web Site 参考文献19件
  • 小宮 英敏
    東京都立大学 大学院システムデザイン研究科 機械システム工学域
  • 寺西 義一
    東京都立産業技術研究センター 開発第二部 表面・化学技術グループ
  • シャア アナ
    リンショーピン大学 物理・化学・生物学部
  • 楊 明
    東京都立大学 大学院システムデザイン研究科 機械システム工学域
  • 清水 徹英
    東京都立大学 大学院システムデザイン研究科 機械システム工学域

書誌事項

タイトル別名
  • Effect of Peak Current Density on Inner-wall Deposition of Ti Films by High-power Impulse Magnetron Sputtering
  • ダイ デンリョク パルススパッタリングホウ ニ オケル ピーク デンリュウ ミツド ガ サイコウ ナイヘキメン ノ Ti ハクマク セイチョウ ニ オヨボス エイキョウ

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抄録

<p>The variation of local deposition rate has been studied for Ti films deposited on the inner wall of holes with an entrance size of 2×2 mm2. The deposition was performed by high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) under peak current densities of 0.3, 0.9, and 2.5 A/cm to investigate the transport behavior of sputtered ions and neutral particles into the holes and its effect on deposition rate distribution and microstructure of the films on the inner wall. Ti ion content in the plasma increased with increasing peak current density. As the ion content increased, the deposition rate tended to decrease and the film microstructure become denser regardless of the hole depth. Normalized deposition rate increased with increasing ion content when the hole depth was deeper than 4 mm. The effect of the ion content on the growth of Ti films deposited on the inner wall was demonstrated.</p>

収録刊行物

  • 表面と真空

    表面と真空 63 (8), 404-412, 2020-08-10

    公益社団法人 日本表面真空学会

参考文献 (19)*注記

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