書誌事項
- タイトル別名
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- Low Temperature Copper-Copper Quasi-Di rect Bonding Utilizing Ultra-Thin Metal Interlayer Formation by Atomic Layer Deposition
- ゲンシソウ タイセキホウ ニ ヨル ゴクウスマク キンゾク チュウカンソウ ケイセイ オ リヨウ シタ テイオン Cu-Cu ギジ チョクセツ セツゴウ ギジュツ
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抄録
We studied a method of low temperature Cu-Cu quasi-direct bonding inserting ultra-thin metal layer deposited by atomic layer deposition（ALD）. A thin Pt layer was selected as a metal intermediate layer because Pt can be easily diffused into Cu. Area selective deposition of Pt on Cu surface was achieved without any mask using ALD. The Cu-Cu bonding using an ultra-thin Pt interlayer realized enough shear strength of 9.5 MPa, which was 5.1 times larger than without using the Pt interlayer. The Pt intermediate layer promoted atomic diffusion on the bonding interface at 300℃, which can improve the shear strength of the Cu-Cu bonding. The proposed method is a useful for low-temperature mounting, which is an issue for 2.5D/ 3D mounting.
収録刊行物
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- Journal of Smart Processing
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Journal of Smart Processing 9 (5), 232-236, 2020-09-10
一般社団法人 スマートプロセス学会 （旧高温学会）
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390285697597380992
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- NII論文ID
- 130007906000
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- NII書誌ID
- AA12553487
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- ISSN
- 21871337
- 2186702X
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- NDL書誌ID
- 030653379
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
