集束イオンビーム照射により形成された単結晶ダイヤモンド変質層の深紫外ラマン散乱（第4報）

DOI
  • アフザル ハフィジー
    秋田大　理工学部システムデザイン工学科機械工学コース
  • 神津 知己
    秋田大　理工学部システムデザイン工学科機械工学コース
  • 山口 誠
    秋田大　理工学部システムデザイン工学科機械工学コース
  • 川堰 宣隆
    富山県　理工学部システムデザイン工学科機械工学コース
  • 森田 昇
    千葉大　千葉大学大学院工学研究科
  • 西村 一仁
    工学院大　工学院大学工学部機械工学科

書誌事項

タイトル別名
  • Deep Ultraviolet Raman study of subsurface damage on single crystalline diamond by Ga ion irradiation (4th report)
  • Oxygen concentration dependence of the etching of subsurface damaged layer by deep ultraviolet light irradiation
  • 深紫外光照射によるラマン散乱スペクトルの変化の酸素濃度依存性

説明

<p>FIB加工によって単結晶ダイヤモンド表面に変質層が形成される．本研究では，顕微ラマン分光法を用いて，深紫外光照射による加工変質層の構造変化の過程に着目する．酸素雰囲気中において深紫外線照射することによって，加工変質層のエッチングが観測される．その酸素濃度依存がエッチング速度に影響を及ぼすことを明らかにした．発表では，深紫外光照射による加工変質層の構造変化のプロセスについて，およびエッチング後の表面構造について考察する.</p>

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390285697601912320
  • NII論文ID
    130007896921
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2020s.0_88
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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