Atomic Arrangement Analysis of Ferromagnetic Semiconductor Ge<sub>0.6</sub>Mn<sub>0.4</sub>Te by Photoelectron Holography

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  • 光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge<sub>0.6</sub>Mn<sub>0.4</sub>Teの原子構造解析

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強磁性半導体 Ge1-xMnxTe の光電子ホログラム測定を行った。948 eV の励起光に対して、運動エネルギーが 900 eV の光電子放出強度の角度分布を測定して、Te 4d 光電子回折パターン（光電子ホログラム）の取得に成功した。得られたホログラムより Te 周辺の原子像を再生したところ、Te のサイトに原子位置の揺らぎがあることが分かった。この結果は蛍光X線ホログラフィーの結果と一致する。

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  • CRID
    1390286981376045440
  • NII Article ID
    130007969623
  • DOI
    10.18957/rr.8.1.5
  • ISSN
    21876886
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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