電圧印加HAXPESによる次世代メモリの深さ方向電位解析
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- 藤井 景子
- (株)東芝
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- 吉木 昌彦
- (株)東芝
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- 加藤 侑志
- (株)東芝
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- アルタンサルガイ ブヤンダライ
- (株)東芝
書誌事項
- タイトル別名
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- Electric Potential Analysis for Next-generation Memory by Bias Applied Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
説明
省電力化および高速動作が可能な次世代磁気抵抗メモリ、VoCSM（電圧制御型スピントロニクスメモリ、Voltage-Control Spintronics Memory）の開発が行なわれている。VoCSM は電圧によって磁気異方性が変化する VCMA (Voltage Control Magnetic Anisotropy) 効果を書き込み手段に用いている。この効果の発現メカニズムとして、理論上では、絶縁層と磁性層の界面に存在する電荷が寄与すると考えられている。これを確認するため、電圧印加硬X線光電子分光法 (HAXPES; Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy) による非破壊での深さ方向電位解析を試みた。
収録刊行物
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- SPring-8/SACLA利用研究成果集
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SPring-8/SACLA利用研究成果集 8 (1), 149-153, 2020-01-22
公益財団法人 高輝度光科学研究センター
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390286981376061440
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- NII論文ID
- 130007969651
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- ISSN
- 21876886
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可