Analysis on Local Structure around Sb Atoms in MOCVD-grown Sb-doped AlN by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements

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  • Ｘ線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb 添加 AlN 中の Sb 原子近傍の局所構造解析

Abstract

低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 AlN1-xSbx を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 AlN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。その結果、Sb 原子近傍の動径分布関数が、AlSb 中のものとは異なり、第一近接原子である Al の信号も一致しなかったことから、Sb 添加 AlN 中のほとんどの Sb は AlN 中の V 族元素の N 原子を置換していないと考えられる。

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  • CRID
    1390287297543869312
  • NII Article ID
    130007991594
  • DOI
    10.18957/rr.9.2.133
  • ISSN
    21876886
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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