Ｘ線異常散乱分光を用いた半導体材料評価

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タイトル別名
  • Evaluation of Semiconductors using Anomalous X-ray Scattering

抄録

窒化物半導体 LED（Light Emitting Diode）の特性向上において、発光層である InGaN の局所構造を把握することは非常に重要であり、これまでも XAFS（X-ray absorption fine structure）法による解析が進められてきた。一方、InGaN/GaN 超格子中の Ga 原子周辺の局所構造解析は GaN バッファー層の影響が大きく、超格子中に存在するGa原子のみの局所構造を解析することは困難である。そこで、結晶学的サイト選択性を有する DAFS（Diffraction anomalous fine structure）法を利用し、窒化物半導体の測定を試みた。今回は予備検討として、AlN バッファー層上に成長した AlGaN 層を測定し、蛍光 XAFS 法で解析した結果と比較することにより本手法の可能性を検討したので報告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390289166417372544
  • NII論文ID
    130008078696
  • DOI
    10.18957/rr.9.5.356
  • ISSN
    21876886
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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