トンネル接合を用いた低濃度p型GaN縦型 SBD構造の作製

DOI

柴原啓太

東大生研
上野耕平

東大生研
小林篤

東大生研
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with bottom tunneling junction contacts

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3079-3079, 2020-02-28

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390292240183493504
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3079
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

書き出し

問題の指摘

ページトップへ