高濃度Si添加半極性面GaN(20\overline{2}1)薄膜の作製と評価

DOI

森川創一朗

東大生研
上野耕平

東大生研
小林篤

東大生研
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Growth and characterization of highly Si-doped GaN (20\overline{2}1) epitaxial films

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3540-3540, 2019-09-04

公益社団法人応用物理学会

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詳細情報詳細情報について

CRID

1390292815269142016
DOI

10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3540
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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