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4端子TiO<sub>2-x</sub>薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装
DOI
三宅 亮太郎
阪大院基礎工
林 侑介
阪大院基礎工
藤平 哲也
阪大院基礎工
酒井 朗
阪大院基礎工
書誌事項
タイトル別名
Implementation of synaptic properties by four-terminal TiO<sub>2-x</sub> thin film memristive device
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 4151-4151, 2019-09-04
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
20a-F211-9
フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
シナプス
メモリスタ
抵抗変化型メモリ
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390292815269293568
DOI
10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_4151
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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