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Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode
DOI
前田 拓也
京大
岡田 政也
住友電気工業
上野 昌紀
住友電気工業
山本 喜之
住友電気工業
木本 恒暢
京大
堀田 昌宏
名大
須田 淳
名大
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3223-3223, 2019-09-04
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
20a-E301-1
半導体
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
論文賞
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390292815284975744
DOI
10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3223
ISSN
24367613
本文言語コード
en
データソース種別
JaLC
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