TiO<sub>2-x</sub>エピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性
書誌事項
- タイトル別名
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- Resistive switching properties of four-terminal planer memristive devices made from epitaxial TiO<sub>2-x</sub> thin films
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 1371-1371, 2019-02-25
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390293202184769152
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC