抄録
2種類のSiC基板から異なる温度でEGを合成した．両者の表面モルフォロジーはほぼ共通しているが，構造の特徴的な長さはN-dope SiC基板由来のEGはSemi-Insulator SiC基板由来のEGより約2倍大きいことがわかった．2150℃で加熱したN-dope SiC基板上のEGでは古典的弾性体モデルで予想されるリンクルの高さと幅の比例関係が実験でも明らかになった．また，グラフェンの表面形状に起因する磁性についてESRで調べたところ，1750℃で加熱したSemi-Insulator SiC基板上のEGにおいて異方性を持つEG起源と思われる常磁性スピンのピークが確認されたが，その異方性の起源などについては今後検証が必要である．
収録刊行物
-
- 法政大学イオンビーム工学研究所報告
-
法政大学イオンビーム工学研究所報告 40 18-21, 2021-02-26
法政大学イオンビーム工学研究所
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390294186611072128
-
- HANDLE
- 10114/00025826
-
- ISSN
- 02860201
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- IRDB
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用可