溝加工(10-10)GaN基板上へのGaN選択横方向成長

DOI

岡田俊祐

三重大
岩生浩季

三重大
三宅秀人

三重大
平松和政

三重大

書誌事項

タイトル別名

Epitaxial lateral overgrowth of GaN on trench patterned (10-10) bulk GaN substrates

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3401-3401, 2017-03-01

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390294186615104640
DOI

10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3401
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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