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新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
MBE成長中InAs-GaAs(001)表面における(<i>n</i>×3)再構成領域の変化
DOI
小西 智也
阿南高専
塚本 史郎
阿南高専
伊藤 智徳
三重大院工
秋山 亨
三重大院工
海田 諒
三重大院工
書誌事項
タイトル別名
Size Evolution of InGaAs Surface Reconstructed Areas during MBE Growth
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 (0), 3100-3100, 2016-09-01
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
16a-B9-15
結晶工学
III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
表面構造
表面再構成
その場STM
分子線エピタキシー
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390295181705408768
DOI
10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3100
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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