PXD法によるハフニウム上へのGaN薄膜成長

DOI

金惠蓮

東大　生研
太田実雄

東大　生研 JSTさきがけ
井上茂

東大　生研
小林篤

東大　生研
上野耕平

東大　生研
藤岡洋

東大　生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Growth of group III nitrides on hafnium by pulsed excitation deposition

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3423-3423, 2016-03-03

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390295447135085440
DOI

10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3423
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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