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PXD法によるハフニウム上へのGaN薄膜成長
DOI
金 惠蓮
東大 生研
太田 実雄
東大 生研
JSTさきがけ
井上 茂
東大 生研
小林 篤
東大 生研
上野 耕平
東大 生研
藤岡 洋
東大 生研
JST-ACCEL
書誌事項
タイトル別名
Growth of group III nitrides on hafnium by pulsed excitation deposition
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3423-3423, 2016-03-03
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
20p-H121-5
結晶工学
III-V族窒化物結晶
成長（MBE, スパッタリング）
pulsed excitation deposition
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390295447135085440
DOI
10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3423
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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