窒化物半導体への低濃度ドーピング技術の開発

DOI

荒川靖章

東大生研
上野耕平

東大生研
太田実雄

東大生研 JST-さきがけ
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Development of low concentration doping technique for nitride semiconductors

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3426-3426, 2016-03-03

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390295447135239552
DOI

10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3426
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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