Co修飾によるアセチレン部分水素化用In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>触媒の安定性向上

DOI Web Site Web Site 参考文献13件
  • 馬 嘉敏
    北海道大学触媒科学研究所
  • 清水 研一
    北海道大学触媒科学研究所
  • 古川 森也
    北海道大学触媒科学研究所 （現在）大阪大学大学院工学研究科応用化学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Co-modification Improves the Stability of In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Catalyst in Acetylene Semihydrogenation
  • Co-modification Improves the Stability of In₂O₃ Catalyst in Acetylene Semihydrogenation

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抄録

<p>シリカ担持インジウム酸化物（In2O3/SiO2）およびCo修飾In2O3/SiO2（Co/In2O3/SiO2）を含浸法により調製し，貴金属代替触媒としてアセチレン部分水素化反応に用いた。In2O3/SiO2はアセチレンの部分水素化に活性を示したが，アセチレン転化率およびエチレン選択率ともに2時間以内に速やかに低下した。In2O3/SiO2を少量のCo（0.5 wt%）でさらに修飾すると，アセチレン転化率とエチレン選択率が高いレベル（約70 %）で維持され，触媒の安定性が向上することが判明した。Co/In2O3/SiO2触媒では，水素による前処理温度が触媒の安定性に強く影響することが示され，250 ℃で水素還元した触媒が最も高い安定性を示した。また，昇温還元法を用いた検討から，金属状態のCo種が触媒毒となる副生成物の生成を抑制し，触媒性能の安定性を向上させることが示唆された。</p>

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参考文献 (13)*注記

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