C面サファイア基板のナノスクラッチ特性(第2報)

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書誌事項

タイトル別名
  • Nanoscratch Characteristics of C-plane Sapphire Substrate (2nd Report)
  • Discussion of Scratch Anisotropy in nm Order Feeding
  • nmオーダ送りにおけるスクラッチ異方性の考察

抄録

<p>単結晶C面サファイア基板は,単結晶GaNのエピタキシャル成長基板としての用途から,被削性をnmレベルで理解することが重要である.本報では,前報で報告したnmオーダの送りによるC面サファイア基板のナノスクラッチによる被削性の異方性に対し,すべり・双晶系を考慮した考察を実施した.</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390297305329805824
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2023s.0_744
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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