Nanoscratch Characteristics of C-plane Sapphire Substrate (2nd Report)

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  • C面サファイア基板のナノスクラッチ特性（第2報）
  • Discussion of Scratch Anisotropy in nm Order Feeding
  • nmオーダ送りにおけるスクラッチ異方性の考察

Abstract

<p>単結晶C面サファイア基板は，単結晶GaNのエピタキシャル成長基板としての用途から，被削性をnmレベルで理解することが重要である．本報では，前報で報告したnmオーダの送りによるC面サファイア基板のナノスクラッチによる被削性の異方性に対し，すべり・双晶系を考慮した考察を実施した．</p>

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