中性子転換注入GaNのキャリア補償機構

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NTD-GaN中のDX様センターGeのドナーを格子間Nおよび^14Cアクセプターが補償しているため、高抵抗化の原因であることが明らかとなった。ACホール効果測定における、約960 meVの活性化エネルギーは、フェルミ準位(伝導帯下650±25 meV)以下に位置する格子間Nアクセプターより電子が熱励起されたものを観測したものである。

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