Abstract
NTD-GaN中のDX様センターGeのドナーを格子間Nおよび^14Cアクセプターが補償しているため、高抵抗化の原因であることが明らかとなった。ACホール効果測定における、約960 meVの活性化エネルギーは、フェルミ準位(伝導帯下650±25 meV)以下に位置する格子間Nアクセプターより電子が熱励起されたものを観測したものである。
Journal
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- 法政大学イオンビーム工学研究所報告
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法政大学イオンビーム工学研究所報告 35 14-17, 2016-02-15
法政大学イオンビーム工学研究所
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390299440031725312
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- HANDLE
- 10114/00030316
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- ISSN
- 02860201
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- IRDB
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- Abstract License Flag
- Allowed