Fabrication and Characterization of Top-Gate In-Ga-O Thin-Film Transistors Using Aqueous Precursor Solutions and Excimer Light Irradiation
書誌事項
- 公開日
- 2025-12-03
- DOI
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- 10.36463/idw.2025.0314
- 公開者
- 一般社団法人ディスプレイ国際ワークショップ
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収録刊行物
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- Proceedings of the International Display Workshops
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Proceedings of the International Display Workshops 314-, 2025-12-03
一般社団法人ディスプレイ国際ワークショップ