Fabrication and Characterization of Top-Gate In-Ga-O Thin-Film Transistors Using Aqueous Precursor Solutions and Excimer Light Irradiation

書誌事項

公開日
2025-12-03
DOI
  • 10.36463/idw.2025.0314
公開者
一般社団法人ディスプレイ国際ワークショップ

この論文をさがす

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ