シリコンウェーハの両面研磨加工における平坦性の向上

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<p>半導体デバイスの基板材料であるシリコンウェーハには極めて高度な平坦性が求められているが，その平坦性を決定づける両面研磨加工においては，工具や研磨機ギアの回転数といった基本的な加工条件と平坦性との関係も明らかでない．そこで，両面研磨加工時のウェーハ面内の加工量分布を運動力学的に導出する計算モデルを構築し，平坦性向上に有効な加工条件を明らかにした．</p>

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390564227299435136
  • NII Article ID
    130007702328
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2019s.0_125
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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