-
- 塚越 一仁
- 独立行政法人理化学研究所 科学技術振興機構(JST) -さきがけ
-
- 重藤 訓志
- 独立行政法人理化学研究所
-
- A. Yu. Kasumov
- 独立行政法人理化学研究所
-
- 川村 稔
- 独立行政法人理化学研究所
-
- 青柳 克信
- 独立行政法人理化学研究所 東京工業大学大学院総合理工学研究科
書誌事項
- タイトル別名
-
- Fabrication of suspended nanogap electrodes and application for future electronics based on nanoscale materials
- 研究紹介 ナノスケール物質電気伝導探索のためのナノギャップ電極作製と応用
- ケンキュウ ショウカイ ナノスケール ブッシツ デンキ デンドウ タンサク ノ タメ ノ ナノギャップ デンキョク サクセイ ト オウヨウ
この論文をさがす
抄録
<p>2nm以下のギャップを有する電極対を制御性よく作製する方法を確立した.この方法では,シリコン基板をくりぬいた台座構造に対して,集束イオンビームを用いて,1nmの精度で非晶質タングステン電極を作製する.この電極対で,Gd原子内包フラーレンダイマーあるいはクラスターの電気伝導を計測した.この方法で作製した非晶質タングステン電極は,低温で超伝導になる.電極間に挟まれたフラーレンダイマーを介した,超伝導近接効果を観測した.超伝導近接効果の温度変化および磁場効果を調べることによって,Gd原子内包フラーレンのスピンに起因する特性を得た.これらのナノギャップ電極の作製方法と実験に関して解説する.</p>
収録刊行物
-
- 応用物理
-
応用物理 75 (3), 332-337, 2006-03-10
公益社団法人 応用物理学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390564227308945152
-
- NII論文ID
- 10020531021
-
- NII書誌ID
- AN00026679
-
- ISSN
- 21882290
- 03698009
-
- NDL書誌ID
- 7863231
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可