ワイドギャップ半導体高周波電子デバイス開発への期待
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- 名西 穂之
- 立命館大学理工学部 経済産業省（NEDO）窒化物半導体高周波デバイスプロジェクトリーダー
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Journal
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- Oyo Buturi
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Oyo Buturi 73 (3), 313-313, 2004-03-10
The Japan Society of Applied Physics
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390564227310576384
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- NII Article ID
- 10012702955
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- NII Book ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles