書誌事項
- タイトル別名
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- Low-temperature epitaxial growth of group III nitride films by pulsed-beam deposition
- パルス レイキ タイセキホウ ニ ヨル チッカブツ ハンドウタイ ノ テイオン エピタキシャル セイチョウ
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説明
<p>III族窒化物半導体の結晶成長技術は，青色発光ダイオードの実用化から10年以上経過した現在でも多くの問題点を抱えており，よりよい成長プロセス技術の開発が求められている．原料を高いエネルギー状態で間欠的に供給するパルス励起堆積法を用いると，結晶成長の温度を室温にまで下げることができるので，薄膜／基板間の界面反応や混晶の相分離反応が抑制でき，これまで困難と考えられてきた積層構造を実現できる．本稿では，パルス励起堆積法の利用によって可能になる格子整合基板上や金属基板上への高品質III族窒化物の成長の例を中心に，この手法の特徴を説明する．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 76 (5), 473-481, 2007-05-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390564227310643712
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- NII論文ID
- 10019926421
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 8808340
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
