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- 東 司
- 株式会社東芝 研究開発センター
書誌事項
- タイトル別名
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- Advanced technologies in photolithography supporting progress of Si integrated circuits
- Si シュウセキ カイロ ノ ハッテン オ ササエル フォトリソグラフィ ニ オケル サイセンタン ギジュツ
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抄録
<p>Si集積回路の発展を支えるフォトリソグラフィにおける最先端技術について,工場量産中あるいは量産間近の技術から,研究開発段階の技術までを概説し,それぞれの技術の実用性と問題点を解説する.フォトリソグラフィ技術の進展は,ハーフピッチ10 nm以下が視野に入る領域に突入し,Si集積回路の動作特性の物理的限界の問題ばかりではなく,フォトリソグラフィ技術においても物理的限界が問題になりつつある.さらに,フォトリソグラフィ技術に要するコストは,近年著しく顕在化してきた問題である.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 81 (5), 367-372, 2012-05-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
- photolithography
- DPT (double patterning technology)
- EUVL (extreme ultraviolet lithography)
- ArF immersion lithography
- OPC (optical proximity correction)
- CAR (chemically amplified resist)
- NGL (next generation lithography)
- NIL (nanoimprint lithography)
- DSAL (directed self-assembly lithography)
- 3D (three-dimensional) interconnect
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390564227314136320
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- NII論文ID
- 10030594526
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 023759807
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可