MoS<sub>2</sub>/MoSe<sub>2</sub>ヘテロ接合界面電子状態における格子歪の影響

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書誌事項

タイトル別名
  • Electronic band structure and lattice distortion in MoS<sub>2</sub>/MoSe<sub>2</sub> heterostructure measured by STM/STS

説明

<p>TMD原子層ヘテロ接合におけるバンドアライメントは、バンドオフセットに加えて格子歪みの影響を強く受けるためバンドアライメントを計測評価していくことが必要となる。そこで我々は、STM/STSを用いてMoS2/MoSe2ヘテロ接合界面における格子歪みと電子状態の同時計測を行った。格子歪みの影響により価電子帯上端のエネルギー位置が大きくシフトし0.5eVバンドギャップ縮小が起こることが明らかになった。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390564227329737216
  • NII論文ID
    130007737553
  • DOI
    10.14886/jvss.2019.0_1hp03
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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