活性ガス内包ナノバブル添加スラリーによるSiC基板の高能率研磨加工法の研究

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タイトル別名
  • High Efficient SiC-CMP Method by Enhanced Slurry Containing Nanobubbles with Active Gas Generated by Plasma

抄録

<p>高効率なパワーデバイスの基板材料としてSiCは期待されているが，高硬度で且つ化学的に安定した材料であることから，CMPにおける低い研磨レートが課題である．本研究では活性ガスを内包したナノバブル水を研磨装置へ供給する装置を開発し，それによる高研磨レートの具現化を目的とする．本報告では，活性ガスおよびナノバブルの効果が発揮される研磨条件を検討した結果を述べる．</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390564238019116032
  • NII論文ID
    130007480416
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2018s.0_503
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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