書誌事項
- タイトル別名
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- [Poster Session]A Lateral Electric Field Charge Modulator without Negative Gate Bias
- ポスター コウエン フデンアツ クドウ ガ フヨウ ナ ラテラル デンカイ セイギョ ヘンチョウ ソシ
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説明
本稿では，負電圧駆動が不要なラテラル電界制御変調素子を実現するための新たな構造について報告する．提案構造では，埋め込みフォトダイオード側壁のゲートを両極性ゲートにすることで仕事関数差分の負バイアス効果を得ることができ，負電圧駆動を不要にしている．負電圧を使用しないため，従来のラテラル電界制御変調素子で問題であった画素内バッファを導入する際に必要な分離層が不要となる．画素内バッファの導入により，駆動パルスのなまりが緩和され，より高速な応答を得ることが可能である．テスト画素を0.11μm CMOSイメージセンサプロセスで試作した．センサの特性評価を行い，97%の高い変調比を得ることができた．
収録刊行物
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- 映像情報メディア学会技術報告
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映像情報メディア学会技術報告 40.15 (0), 9-12, 2016
一般社団法人 映像情報メディア学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390564238091840896
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- NII論文ID
- 130007650056
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- NII書誌ID
- AN1059086X
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- ISSN
- 24241970
- 13426893
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- NDL書誌ID
- 027340719
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
