デバイス内部の応力集中と真性キャリア濃度変化を考慮したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション

書誌事項

タイトル別名
  • Device Simulation for Stress Effects Considering Stress Concentration and Variations of Intrinsic Carrier Density in nMOSFETs
  • デバイス ナイブ ノ オウリョク シュウチュウ ト シンセイ キャリア ノウド ヘンカ オ コウリョ シタ nMOSFET ノ デンキ トクセイ ヘンドウ デバイスシミュレーション

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