SiO<sub>2</sub>/SiC に及ぼすプラズマ窒化処理の影響の角度分解Ｘ線光電子分光法による解析

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タイトル別名
  • Analysis of Effect of Plasma Nitridation on SiO<sub>2</sub>/SiC by Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy

説明

SiO2/SiC に及ぼすプラズマ窒化処理の影響を角度分解X線光電子法により調べた。まず、SiC 表面がプラズマ窒化されるかを調べ、4H-SiC の Si 面および C 面とも窒化されることを確認した。その後、熱酸化により酸化膜を形成した SiO2/SiC をプラズマ処理したところ、表面がわずかに窒化されるものの SiO2/SiC 界面までは窒素が拡散しないことを明らかにした。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390568456352748288
  • NII論文ID
    130007969611
  • DOI
    10.18957/rr.8.2.251
  • ISSN
    21876886
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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