Analysis on Local Structure around Sb Atoms in MOCVD-grown Sb-doped GaN by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements
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- Miyajima Takao
- Meijo University
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- Komori Daisuke
- Meijo University
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- Ina Toshiaki
- SPring-8/JASRI
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- Seiki Ryoma
- Meijo University
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- Nitta Kiyofumi
- SPring-8/JASRI
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- Takeuchi Tetsuya
- Meijo University
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- Uruga Tomoya
- SPring-8/JASRI
Bibliographic Information
- Other Title
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- X線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb添加GaN中のSb原子近傍の局所構造解析
Abstract
低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 GaN1-xSbx を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 GaN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。その結果、Sb 原子近傍の動径分布関数が、GaSb 基板のものとは異なり、第一近接原子である Ga の信号も一致しなかったことから、Sb 添加 GaN 中のほとんどの Sb は GaN 中の V 族元素の N 原子を置換していないと考えられる。
Journal
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- SPring-8/SACLA Research Report
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SPring-8/SACLA Research Report 8 (1), 41-44, 2020-01-22
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390568456352758272
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- NII Article ID
- 130007969629
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- ISSN
- 21876886
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed