触媒反応を利用した多結晶ダイヤモンド精密研磨とその接合デバイス応用

DOI
  • 檜座 秀一
    三菱電機　先端技術総合研究所　先進機能デバイス技術部 高周波デバイス技術グループ
  • 藤川 正洋
    三菱電機　先端技術総合研究所　先進機能デバイス技術部 高周波デバイス技術グループ
  • 滝口 雄貴
    三菱電機　先端技術総合研究所　先進機能デバイス技術部 高周波デバイス技術グループ
  • 西村 邦彦
    三菱電機　先端技術総合研究所　先進機能デバイス技術部 高周波デバイス技術グループ
  • 柳生 栄治
    三菱電機　先端技術総合研究所　先進機能デバイス技術部 高周波デバイス技術グループ
  • 山向 幹雄
    三菱電機　先端技術総合研究所　先進機能デバイス技術部 高周波デバイス技術グループ
  • 中神 宏崇
    熊本大　大学院先端科学研究部 機械数理工学専攻
  • 久保田 章亀
    熊本大　大学院先端科学研究部 機械数理工学専攻
  • 松前 貴司
    産総研　デバイス技術研究部門 集積化MEMS研究グループ
  • 倉島 優一
    産総研　デバイス技術研究部門 集積化MEMS研究グループ
  • 高木 秀樹
    産総研　デバイス技術研究部門 集積化MEMS研究グループ

書誌事項

タイトル別名
  • Development of Polishing Process for Polycrystalline Diamond and Its Application to Device Fabrication with Bonding Technique

抄録

<p>窒化ガリウム（GaN）を用いた半導体電力増幅素子の性能制約となる動作時の温度上昇抑制を目的とし、ダイヤモンド精密研磨技術、並びにGaNとの接合形成技術開発を実施している。今回、ニッケル定盤と過酸化水素水間の触媒反応で発生するラジカルを利用した研磨方式を多結晶ダイヤモンド研磨手法として適用し、高品質平滑表面を得ることに成功した。また、研磨基板とGaNデバイスとの接合形成に成功し、放熱性能の大幅向上を実証した。</p>

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390568617220048896
  • NII論文ID
    130007988823
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2020a.0_185
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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