表面再構成制御成長法におけるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用

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抄録

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富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報, 平成20年度, 2008, Page 40-43

富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report

富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report 20 40-43, 2008

富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー