TaN/Hf系high-k/Siゲートスタック構造の電気特性

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  • 杉本 陽平
    九州大学総合理工学府量子プロセス理工学専攻
  • 山本 圭介
    九州大学総合理工学府量子プロセス理工学専攻
  • 梶原 誠生
    九州大学総合理工学府量子プロセス理工学専攻
  • 末廣 雄策
    九州大学総合理工学府量子プロセス理工学専攻
  • 中島 寛
    九州大学産学連携センター

書誌事項

タイトル別名
  • Electrical Properties of TaN/Hf based-high-k Si Gate Stack Structure
  • TaN Hfケイ high k Si ゲート スタック コウゾウ ノ デンキ トクセイ

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抄録

We investigated the electrical properties of TaN/HfO2/Si gate stack structure. It was found that the effective work function (Φeff) strongly depends on the interfacial layer formed near the TaN/HfO2 interface. The analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) indicated that Ta oxide is formed near the TaN/HfO2 interface. The results suggested that the modification of Φeff is attributed to the change in the composition of the interfacial layer. The modifiedΦeff is discussed on the basis of the XPS results.

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