THz受信器応用に向けたNi/n-GaNショットキーバリアダイオード特性の評価

DOI

三浦進

愛知工大
椋橋健太

愛知工大
五島敬史郎

愛知工大
高橋言緒

産総研電子光
永瀬成範

産総研電子光産総研 GaN-OIL

書誌事項

タイトル別名

Evaluation of Ni/n-GaN-based Schottky barrier diodes for THz receiver

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 899-899, 2020-02-28

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390573715144499712
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_899
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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