中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4%と3.2%の比較
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- 岩井 広樹
- 埼玉大院理工
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- フェルドス サンジーダ
- 埼玉大院理工
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- 鎌田 憲彦
- 埼玉大院理工
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- 八木 修平
- 埼玉大院理工
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- 矢口 裕之
- 埼玉大院理工
書誌事項
- タイトル別名
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- Optical Characterization of Carrier Recombination Process in Intermediate Type GaPN Alloy: Comparison of Nitrogen Content Between 1.4% and 3.2%
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 2708-2708, 2021-02-26
公益社団法人 応用物理学会