4端子TiO<sub>2</sub>単結晶構造メモリスタの抵抗変化特性

DOI

清水拓磨

阪大院基礎工
竹内正太郎

阪大院基礎工
藤平哲也

阪大院基礎工
酒井朗

阪大院基礎工

書誌事項

タイトル別名

Resistive switching characteristics of four terminal TiO<sub>2</sub> single crystal memristive devices

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 1359-1359, 2017-08-25

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390575418085525632
DOI

10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1359
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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