エピタキシャル単結晶成長技術により大きく発展する化合物半導体デバイス
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- NARUI Hironobu
- 株式会社パウデック 代表取締役
Abstract
<p>半導体の材料としてSiは最も有名であるが,GaAsやGaNなどの化合物半導体はSiで達成できない発光デバイスや高性能電子デバイスを実現できる。この化合物半導体を形成する結晶成長技術として有機金属気相成長法を紹介し,今後世界を大きく変える化合物半導体デバイスも紹介する。</p>
Journal
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- CHEMISTRY & EDUCATION
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CHEMISTRY & EDUCATION 69 (11), 488-491, 2021-11-20
The Chemical Society of Japan
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390575418100102784
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- ISSN
- 24241830
- 03862151
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
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- Abstract License Flag
- Disallowed